* QT-2B半導體行業芯片設備管性能特點所示儀可會按照所需校正半導體行業芯片設備二**管、三**管的底頻直流電壓技術參數,**大集電**公率能達到50A,一般需求公率500W以上的半導體行業芯片設備管的檢測。
* 本實驗室設備還附有直流電的檢驗傳動裝置,可對5000V以下的的半導體芯片管完成輸出功率擊穿輸出功率及逆向漏功率檢驗,其檢驗功率**高精確度度完成0.5uA/度。
* 本檢測儀器所可以提供的基**臺階性無線信號還存在電磁臺階性所在,為此可縮小預估范圍圖及對分批熱擊穿因素的預估。
* 本檢測儀器帶階梯式偏置交流電壓(△VB), -6V~+6V陸續隨意調節。尤其是適和大功效VMOS管檢測。
1. 集電**電流量偏轉因子
a) 集電**功率領域(Ic): 1μA/度~5A/度。按1、2、5進制分21檔級,各檔誤差值不太于3%。
b) 二**管電流值范疇(ID) :1μA/度~500μA/度。1、2、5進制分9檔,各檔誤差率不算太低于3%。
c) 集電**電壓及二**管電壓功率×0.5,誤差率不是很達到10%。
d) 基**功率或基**源電阻0.1V/度,測量誤差并不達到3%。
2. 集電**相電壓偏轉指數公式
a) 集電**電阻標準(Uc): 10mV/度~50V/度。按1、2、5進制分21檔級,各檔差值并不嚴重于3%。
b) 二**管電阻範圍(UD): 100V/度~500V/度。按1、2、5進制分3檔級,各檔出現偏差的原因往往并不少于10%。
c) 基**直流電壓範圍(UBE):10mV/度~1V/度按1、2、5進制分7檔級,各檔計算誤差好不小于3%。
d) 基**電流值或基**源輸出功率::0.05V/度,誤差率很超過3%。
3. 基**臺階表現
a) 臺階電流量領域(IB): 10uA/度~200mA/度。按1、2、5進制分17檔級,各檔數據誤差太小于5%。
b) 臺階相電壓范圍圖(UB): 50mV/度~1V/度。按1、2、5進制分5檔級,各檔誤差率很小于5%。
c) 電容并聯阻值:0Ω、10KΩ、100KΩ,各檔確定誤差很小于10%。
d) 梯階性正弦波形:分通常(100%)及激光脈沖發生器二檔。激光脈沖發生器梯階性占空比調節器條件為10~40%。
e) 每簇級數:0~10級,間斷性可調節為。
f) 臺階偏置的電壓(△VB):-6V~+6V,重復可手動調節。
g) 階梯式影響:分反復、關、單筆三檔級。
h) 階梯性導入:分正常情況下、零交流電、零的電壓三檔級。
i) 階梯式**性:分正、負二檔。
4. 集電**掃碼線電壓
a) 傳輸的電壓與檔級: 0~10V 正或負持續能調
0~50V 正或負連著隨意調節
0~50V 正或負反復可控
0~100V 正或負不間斷可手動調節
0~500V 正或負連繼可調節
b) 模擬輸出感應電流儲電量: 0~10V 50A(脈沖發生器梯階運轉心態時)
0~10V 20A(對數正態分布)
0~50V 10A(平衡值)
0~100V 5A (平衡值)
0~500V 0.5A(平衡值)
c) 功率規定電阻值: 0~500KΩ 按1、2、5進制分20檔級,各檔差值并不嚴重于10%。
d) 整流辦法: 全波
e) 輸出**性: +,-
f) 集電**容性電壓電流; 動態平衡后不超越2uA(10V檔)
g) 集電**漏電流; 發展后不不超2uA(10V檔)
5. 二**管軟件測試安裝
a) 打出電流電壓: 0~5000V 雙向維持可調節
b) 輸出的感應電流電容量: **大得5mA
c) 整流的方法: 半波
6. 許多
a) 配適器
高壓電檢測方法座、三**管檢測方法座、 工作效率三**管檢測方法座
b) 稱重 約30kg。
c) 外觀設計長寬高
300mm×408mm×520mm(W×H×D)。
d) 工作頻率: 非測試測試方式時: 約80VA;
**大電機功率時: 約300VA。
e) 發送電壓值: 220V±10%;
f) 次數: 50HZ±5%。
g) 示波管: 15SJ118-DC 可以有效崗位面8×10cm。
h) 電磁波瀏覽器兼容性
傳導電流干憂應具有GB/T 6833.9中第22章的符合要求。
普及侵擾應適用GB/T 6833.10中第2章的耍求。
自然環境應符合國家GB/T 6587.1中Ⅱ級檢測設備的規定標準,配送實驗設計按2級

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