可控硅板塊全動態圖片測試方法臺規格型號：DBC-161 
   雙向晶閘管引擎的全動向圖軟件測試，實計上是模擬仿真配件的工頻選用的情形，在正半周給予類似三相變頻器正弦函數半波的額定容量通態最高值電阻值電流，使配件自己發冷，當發冷與散熱做到熱動平衡時，配件結溫將平衡在很大值，在此在負半周給予單向或反方向不重疊最高值電阻值或重疊最高值電阻值，在單向或反方向重疊最高值電阻值下識別單向或反方向重疊最高值漏電阻值電流。在不加以單向或反方向最高值電阻值時測取配件的通態最高值壓降。當重疊最高值漏電阻值電流和通態最高值壓降都大于基準法規值時，該配件為全動向圖軟件測試良好率。  
　　IGBT的全新動態自測是往日部標自測原則中規程的電子集成電路芯片生產必測工程，它能將哪此在氣溫自測時相同最高值相電壓和漏功率都達標而在通載荷系數功率時結溫過高漏功率過大的電子集成電路芯片陶汰掉，擔保了電子集成電路芯片生產使用的的能信性。  
該測試圖片臺配電線路開發、主管路無電流阻值、節電錯誤率高、運行簡單易行、護理牢靠，是雙向可控硅傳感器 控制成品味量*的至關重要監測系統。  
　　主要是技術性完成指標：  
　　1.通態的平均直流電測試方法比率： 50—500A ,50—800A ,50—1000A（分八擋）  
　　2.通態年均壓降測試英文范疇： 0—1.5 V  
　　3.正負極向最高值電流電壓測評位置： 0—2500 V  
　　4.正負極向大概漏電流測試領域：0—15 mA  
　　5.機內配帶示波器供觀看電視伏安性能特點等值線  
　　6.庇護區方式：當漏電走過庇護區人設值時，庇護區新線路能自行在大半個時間間隔（10mS）內關了髙壓，切實保障被測電子元件不被擊穿電壓  
　　7.冷凝方式英文：開環溫度電吹風冷凝  
　　8.用電(dian)辦法：利用Ａ相和(he)Ｃ相380V用電(dian)，zui大(da)安(an)全使用電(dian)機功率(lv)約15KVA